三星位于美国得州的泰勒工厂将在本月底开始试生产，该厂目前所有预定产量都已被预订完毕。据悉，三星正在从其国内合作伙伴处引进设备，用于建设将于年底开工的第二座晶圆厂。泰勒工厂是三星电子 2纳米芯片制程的核心基地。三星电子 2纳米工艺的良率在今年年初时大约为60%，而近期已达到80%左右。与此同时，由于HBM需求远超供应，三星电子已经将其 4纳米制程的一半产能分配给内存芯片。截至上个月，公司 4纳米芯片产能的50%已用于生产HBM4内存芯片，而目前 4纳米制程已满负荷运转，其中50%至60%产量用于生产HBM4基础裸片。

—— 财联社、财联社