光刻机制造商阿斯麦宣布，将与其主要客户合作，生产其最先进的光刻设备，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。

周二，阿斯麦接连发布三条公告称，宣布与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径 (High NA) 极紫外光刻 (EUV) 技术应用。其中，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产；英特尔则表示，其目前已处理了超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。对于此次合作，三星称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。

—— 财联社