AI需求引爆存储扩产潮 铠侠SK海力士建新厂
铠侠集团计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂。周四下午,铠侠在官网宣布,公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”,Fab3将建于Fab2南侧,预计将于2029财年投入运营。铠侠表示, 2026-8-27 23:5:1 Author: blog.upx8.com(查看原文) 阅读量:33 收藏

铠侠集团计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂。周四下午,铠侠在官网宣布,公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”,Fab3将建于Fab2南侧,预计将于2029财年投入运营。铠侠表示,Fab3将量产公司的先进3D闪存“BiCS FLASH”。

与此同时,SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资四十亿美元的存储中心建设;将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。预计印第安纳州将成为美国HBM的核心生产基地。CEO表示,未看到任何显著的内存市场下行信号,预计内存短缺状况将持续至2030年底。他表示,海力士正考虑与铠侠建立更紧密的联系。

—— 财联社财联社彭博社


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