#行业资讯 铠侠计划停产平面结构的 2D NAND 闪存芯片，铠侠的目的是全面淘汰传统的旧技术平台并转向 3D 结构。将被停产的包括基于 2D NAND 的 SLC、MLC 和 TLC 芯片，铠侠将从 9 月 30 日停止接单，最终出货截止时间是 2028 年 12 月 31 日。查看全文：https://ourl.co/112464

日本存储器制造商铠侠 (Kioxia) 日前向客户发出通知，适用于 2D NAND 闪存芯片的订单将在 2026 年 9 月 30 日停止接单，最终出货将持续到 2028 年 12 月 31 日。

2D NAND 指的是平面闪存芯片，这种闪存芯片从 20 世纪 80 年代开始生产至今且市场仍然还有需求，不过目前业界已经完全转向 3D 立体结构以提供更大的容量。

铠侠计划停产的产品包括：

• 基于 32 纳米制程的 SLC 闪存芯片 (自 2009 年开始量产)
• 基于 24 纳米制程的 MLC 闪存芯片 (自 2010 年开始量产)
• 基于 15 纳米制程的 MLC 和 TLC 闪存芯片 (自 2014 年开始量产)
• 早期 64 层 BiCS 3 3D NAND (约在 2017 年发布)

淘汰旧平台而非停产特定 SKU：

从上面的停产产品列表可以看出来铠侠要停产的产品类型涵盖基于 2D NAND 的 SLC、MLC 和 TLC 闪存芯片，而且铠侠的停产计划是覆盖所有交付形式，包括裸晶圆和封装解决方案 (BGA、TSOP、eMMC、UFS 和 SD)。

这也表明铠侠是下定决心要彻底淘汰基于旧技术的平台，并非简单的停产部分 SKU，对行业而言这是意义重大的事情，因为这标志着平面 NAND 存储器时代的终结。

平面存储器最早于 1987 年左右在东芝集团投入生产，之后东芝因为经营问题将存储器业务分拆出来，铠侠就是东芝存储器的继任者。

部分行业可能会受影响：

2D NAND 闪存芯片主要用于各类传统设备，包括汽车、消费电子产品、嵌入式设备和工业设备等，这类设备可能对闪存芯片的性能要求没那么高，所以可以继续使用平面结构来降低整体成本。

不过在人工智能热潮下，铠侠继续维持 2D NAND 产能的意义不大，随着与客户的长期供货合同到期，铠侠接下来重点开始利润更高的 3D NAND 闪存芯片。