SK海力士、三星加速HBF商业化进程
好的，我现在要帮用户总结这篇文章的内容。首先，我得仔细阅读文章，理解其中的关键点。文章主要讲的是SK海力士和闪迪在合作制定HBF标准，计划今年推出HBF1样品，采用16层NAND堆叠。还有金正浩教授提到HBF技术可能在2027年底或2028年初应用到英伟达、AMD和谷歌的产品中，并且因为之前研发HBM的经验，HBF的研发速度会更快。HBF的结构类似HBM，是堆叠NAND闪存的产品，未来到HBM6阶段会广泛应用。 接下来，我需要将这些信息浓缩到100字以内。用户要求不需要特定的开头，直接描述内容。所以我要抓住主要公司、合作、技术名称、时间点和应用前景这几个关键点。 先列出关键词：SK海力士、闪迪、HBF标准、今年推出样品、16层NAND堆叠、2027-2028年应用到英伟达等产品、基于HBM经验研发更快、未来广泛应用。 然后把这些信息连贯地组织起来，确保在100字以内。注意不要遗漏重要信息，同时保持语句通顺。 最后检查一下字数是否符合要求，并确保没有使用任何不需要的开头语句。 </think> SK海力士与闪迪合作开发高带宽闪存（HBF），计划今年推出采用16层NAND堆叠的HBF1样品，并预计于2027年底或2028年初应用于英伟达、AMD及谷歌产品。该技术基于高带宽内存（HBM）经验研发，未来有望在迭代至HBM6时实现广泛应用。 2026-1-18 23:31:34 Author: blog.upx8.com(查看原文) 阅读量:0 收藏
好的，我现在要帮用户总结这篇文章的内容。首先，我得仔细阅读文章，理解其中的关键点。文章主要讲的是SK海力士和闪迪在合作制定HBF标准，计划今年推出HBF1样品，采用16层NAND堆叠。还有金正浩教授提到HBF技术可能在2027年底或2028年初应用到英伟达、AMD和谷歌的产品中，并且因为之前研发HBM的经验，HBF的研发速度会更快。HBF的结构类似HBM，是堆叠NAND闪存的产品，未来到HBM6阶段会广泛应用。 接下来，我需要将这些信息浓缩到100字以内。用户要求不需要特定的开头，直接描述内容。所以我要抓住主要公司、合作、技术名称、时间点和应用前景这几个关键点。 先列出关键词：SK海力士、闪迪、HBF标准、今年推出样品、16层NAND堆叠、2027-2028年应用到英伟达等产品、基于HBM经验研发更快、未来广泛应用。 然后把这些信息连贯地组织起来，确保在100字以内。注意不要遗漏重要信息，同时保持语句通顺。 最后检查一下字数是否符合要求，并确保没有使用任何不需要的开头语句。 </think> SK海力士与闪迪合作开发高带宽闪存（HBF），计划今年推出采用16层NAND堆叠的HBF1样品，并预计于2027年底或2028年初应用于英伟达、AMD及谷歌产品。该技术基于高带宽内存（HBM）经验研发，未来有望在迭代至HBM6时实现广泛应用。 2026-1-18 23:31:34 Author: blog.upx8.com(查看原文) 阅读量:0 收藏
SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出 HBF1 样品，该产品预计采用16层 NAND 闪存堆叠而成。据韩国科学技术院教授金正浩透露：“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将 HBF 技术应用于英伟达、AMD以及谷歌的实际产品中。由于在研发HBM的过程中积累了丰富的工艺和设计技术，能将这些经验应用于 HBF设计中。因此 HBF技术的研发速度会更快。”HBF即高带宽闪存，其结构与堆叠 DRAM 芯片的HBM类似，是一种通过堆叠 NAND 闪存而制成的产品。金正浩进一步指出，待迭代至HBM6，HBF将迎来广泛应用，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。
—— 科创板日报
文章来源: https://blog.upx8.com/SK%E6%B5%B7%E5%8A%9B%E5%A3%AB-%E4%B8%89%E6%98%9F%E5%8A%A0%E9%80%9FHBF%E5%95%86%E4%B8%9A%E5%8C%96%E8%BF%9B%E7%A8%8B
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