SK海力士新技术破解存内计算瓶颈：3D FeNAND 能效提升7.17倍、算力提升20.4倍
好，我现在需要帮用户总结一篇文章的内容，控制在100字以内。首先，我得仔细阅读用户提供的文章内容，理解其主要信息。 文章主要讲的是SK海力士在国际电子器件会议上介绍了他们在NAND-Flash领域的最新研究成果。具体包括5-Bit NAND闪存和3D FeNAND技术。技术通过优化存储单元、非单元电路和计算方案，提升了能效和吞吐量。与之前相比，吞吐量提升了20.4倍，能效提升了7.17倍。这项研究对AI计算的能效瓶颈有潜力，推动下一代高能效AI硬件的发展。 接下来，我需要将这些信息浓缩到100字以内。要抓住关键点：公司、会议、技术类型、提升的方面以及应用前景。 可能的结构是：SK海力士在会议上展示了NAND闪存和3D FeNAND技术的研究成果，优化了存储单元等，提升了能效和吞吐量，为AI硬件发展提供技术支持。 检查字数是否符合要求，并确保语言简洁明了。 </think> SK海力士在国际电子器件会议上展示了其在NAND-Flash领域的最新研究成果，包括5-Bit NAND闪存和3D FeNAND技术。通过优化存储单元特性、非单元电路及计算方案，实现了20.4倍的吞吐量提升和7.17倍的能效提升，为高能效AI硬件发展提供了技术支持。 2026-1-18 15:0:37 Author: blog.upx8.com(查看原文) 阅读量:0 收藏

SK海力士在国际电子器件会议上介绍了其在NAND-Flash领域的最新研究成果，包括最新的5-Bit NAND闪存和旨在实现高能效的3D FeNAND技术。

该技术通过优化存储单元特性、非单元电路以及计算方案，实现了能效和吞吐率的显著提升。与此前的3D FeNAND阵列相比，优化后的方案实现了20.4倍的吞吐量提升与7.17倍的能效提升。此项研究为应对AI计算能效瓶颈提供了具有显著潜力的技术路径，有望推动下一代高能效AI硬件的发展。

—— IT之家


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