据韩国朝鲜日报报道，三星和台积电目前在 3nm 制程上都已经撞墙了，3nm 制程确实已经研发成功，但良品率都只有 50% 左右，而业界认为良品率低于 70% 都属于失败。

三星目前有 3 个已知的 3nm 节点，仅 3GAE 制程正式投产了，主要用于中国比特币矿机类的 ASIC 芯片，虽然良品率超过 60%，但该制程省略了 SRAM，只能生产用于 ASIC 的逻辑芯片，并不能生产出完整的 3nm 芯片。

三星重点研发的 3GAA 制程良品率则低的多，甚至暂时都还不能吸引大客户通过该制程生产芯片，主要原因就是良品率太低。

台积电目前有 5 个已知的 3nm 节点，唯一量产的就是 N3，也就是苹果 A17 Pro 芯片使用的制程，不过 N3 制程的良品率和产品也低于最初的预期，外界认为 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 的发热问题也和台积电的 N3 制程有一定的关系，主要是 N3 制程采用之前的 FinFET 技术 (鳍式场效应晶体管)，可能台积电没能正确控制发热。

目前台积电的 N3 制程良品率也只有 50% 左右，这也导致生产成本非常高，而 3nm 衍生工艺还包括 N3E、N3P、N3X、N3AE，这些都将在明年量产，其中苹果也将在明年换成相对来说难度低些、良品率更高的 N3E 来生产 A17 Pro 芯片。

业内人士认为 3nm 制程将会相当长寿，尽管三星、台积电和英特尔都在准备 2nm 制程，但由于性能和功耗不见得能比 3nm 制程更好，因此 3nm 芯片的代工需求可能会持续很长一段时间，超出业界的预期。

同时三星和台积电也都在为良品率烦恼，因为他们的目标都是尽快将良品率提升到 70% 以上，这样才能吸引并争取高通、英伟达、AMD 等大厂的 3nm 代工订单。